ST3422A替代AO3422A、ZXMN6A07F、G2301A
描述
ST3422A N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度,DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力。这些
特别适合于低电压应用,如蜂窝电话和设备笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关
特征
60V/6.0A, RDS(ON) = 28mΩ (Typ.)
@VGS = 10V
60V/2.5A, RDS(ON) = 38mΩ
@VGS = 4.5V
60V/1.5A, RDS(ON) = 100mΩ
@VGS = 2.5V
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
特殊的阻力和大值
直流电流的能力
sot-23-3l包装设计