美国万代AOD609 NP40V 替代用闽台STC4301D NP40V详细内容
STC4301D替代AOD606、AO609,FKD4903
说明
STC4301D是采用高电池密度的n&p沟道增强模式电场效应晶体管
dmos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到较低
并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用
如电源管理，其中高侧开关、低在线功率损耗和暂态电阻是需要的。
特征
N沟道
40v/12.0a,rd(上)
=25mr
@vgs=10v
40v/10.0a,rd(上)
=32mω
@vgs=4.5v
P沟首
-40v/-8.0a，（上）
=40mω
@vgs=-10v
-40v/-4.0a,rds=65mω
@vgs=-4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS(ON)
异常阻力和较大阻力
直流电流能力
TO-252-4L封装
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