品牌:STANSON/司坦森
型号:STP6621
封装:SOP-8
批号:今年批次
FET类型:低压MOS
漏源电压(Vdss):60V
漏较电流(Id):18A
漏源导通电阻(RDS On):23mΩ
栅源电压(Vgs):20V
栅较电荷(Qg):55nC
耗散功率:2.8W
配置类型:P-FET硅
工作温度范围:-55/150
安装类型:贴片
应用领域:安防设备,家用电器,3C数码,智能家居,照明电子,汽车电子,网络通信
导电方式:增强型
沟道类型:P沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
描述
stp6621是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用,noteook电源管理和**电池供电的电路中的高侧开关
特征
- 60V / -10.0a,RDS(上)= 23mΩ(典型值)
@ VGS = - 10V
- 60V / -8.0a RDS(ON)=28mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度电池设计较低的RDS(on)特殊的阻力和大直流电流的能力
SOP-8封装设计
应用于扫地机器人