描述

st25n10是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑

它是利用高密度，DMOS器件沟道技术。有了st16n10

特别设计，以提高直流/直流转换器的整体效率

无论是同步或传统的开关型脉宽调制控制器。它已被优化

低栅较电荷，低的RDS(on)和快速开关速度。

特征

100V/12.0A，RDS(ON)= 40mΩ

@ VGS = 10V

100V/10.0A，RDS(ON)= 45mΩ

@ VGS = 4.5V

**高密度电池设计

较低的RDS(on)

特殊的阻力和

大直流电流能力

TO-252封装设计