描述

stc4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管

DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力

并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用

如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在高侧

开关，低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的

特征

N沟道

40V/10.0A，RDS(ON)= 25mΩ(典型值)

@ VGS = 10V

40V/6A，RDS(ON)= 32mΩ

@ VGS = 4.5V

P沟道

- 40V / -10.0a，RDS(上)= 37mΩ(典型值

@ VGS = - 10V

- 40V / -5.0a，RDS(上)= 43mΩ

@ VGS = - 4.5V

!**高密度电池设计

较低的RDS(on)

!特殊的阻力和大

直流电流的能力

!SOP-8封装